ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အပူပေးဒြပ်စင်များ- ပုံသဏ္ဍာန်ခွဲခြားခြင်းနှင့် စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်စွမ်းများ

ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) အပူပေးဒြပ်စင်များအပူချိန်မြင့်စက်မှုလုပ်ငန်းအသုံးချမှုများအတွက် မရှိမဖြစ်လိုအပ်ပြီး အပူတည်ငြိမ်မှုကောင်းမွန်ခြင်း၊ စွမ်းအင်ထိရောက်မှုနှင့် ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းရှည်ခြင်းတို့အတွက် တန်ဖိုးထားပါသည်။ ၎င်းတို့၏ပုံသဏ္ဍာန်သည် မီးဖိုဒီဇိုင်းများနှင့် အပူပေးစနစ်လိုအပ်ချက်များနှင့် လိုက်ဖက်ညီမှုကို တိုက်ရိုက်အကျိုးသက်ရောက်ပါသည်။ စံပရိုဖိုင်များအပြင်၊ စိတ်ကြိုက်စိတ်ကြိုက်ပြုလုပ်ခြင်းသည် အထူးပြုစက်မှုလုပ်ငန်းစနစ်များတွင် ချောမွေ့စွာပေါင်းစပ်နိုင်စေပါသည်။ ဤဆောင်းပါးသည် အကောင်းဆုံးအပူချိန်မြင့်အပူပေးစနစ်ဖြေရှင်းချက်ကို ရွေးချယ်ရာတွင် အထောက်အကူဖြစ်စေရန် အဓိကဖွဲ့စည်းပုံများနှင့် ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ရှိသော စိတ်ကြိုက်ပြုလုပ်နိုင်စွမ်းများကို ဖော်ပြထားသည်။

ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အပူပေးဒြပ်စင်များ၏ အဓိကပုံသဏ္ဍာန်များ
SiC အပူပေးဒြပ်စင်များကို စံပုံစံအမျိုးမျိုးဖြင့် ထုတ်လုပ်ထားပြီး၊ တစ်ခုချင်းစီကို သီးသန့်လည်ပတ်မှုအခြေအနေများအတွက် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်-
၁။ ချည်မျှင် SiC ချောင်းများ-အသုံးအများဆုံးအမျိုးအစား၊ လုံခြုံစွာတပ်ဆင်နိုင်ရန်အတွက် ချည်မျှင်ဖြင့်ပိတ်သည့် အဆုံးများပါရှိသည်။ ဖြောင့်တန်းသောဒီဇိုင်းသည် အပူဖြန့်ဖြူးမှုကို တစ်ပြေးညီပေးစွမ်းပြီး ဥမင်လိုဏ်ခေါင်းမီးဖိုများ၊ လိပ်မီးဖိုများနှင့် အပူပေးစက်များအတွက် သင့်လျော်သည်။ အမည်ခံအချင်း: 12–60 မီလီမီတာ၊ အသုံးပြုနိုင်သောအရှည် 1800 မီလီမီတာအထိ၊ အများဆုံးလည်ပတ်အပူချိန် 1625°C။
၂။ U-ပုံသဏ္ဌာန် SiC ဒြပ်စင်များ-တပ်ဆင်မှုနေရာချွေတာရန်နှင့် ရောင်ခြည်စွမ်းအင်ထိရောက်မှုကို မြှင့်တင်ရန်အတွက် U-ပုံစံဖြင့် ကွေးညွှတ်ထားသည်။ သေတ္တာမီးဖိုများ၊ မပ်ဖယ်မီးဖိုများနှင့် ဓာတ်ခွဲခန်းမီးဖိုများတွင် ဒေါင်လိုက်တပ်ဆင်ထားလေ့ရှိသည်။ ကွေးညွှတ်မှုအချင်းဝက်- ၅၀–၂၀၀ မီလီမီတာ၊ အခန်းအတွင်းပိုင်းအတိုင်းအတာအမျိုးမျိုးနှင့် လိုက်လျောညီထွေဖြစ်အောင် ပြုလုပ်နိုင်သည်။
၃။ W-ပုံသဏ္ဌာန် SiC ဒြပ်စင်များ-သုံးဆကွေးညွှတ် W-ပရိုဖိုင်ပါရှိသောကြောင့် အပူမြန်မြန်ပေးစွမ်းနိုင်ပြီး အပူပြင်းအားမြင့်မားစေရန်အတွက် အပူပေးမျက်နှာပြင်ပိုကြီးသည်။ ဖန်အရည်ပျော်မီးဖိုများနှင့် ကြွေထည် sintering မီးဖိုများအပါအဝင် ကြီးမားသောမီးဖိုများတွင် အသုံးပြုသည်။ အခန်းအပူချိန်တသမတ်တည်းရှိစေရန်အတွက် စုစုပေါင်းအရှည် 3000 မီလီမီတာအထိရှိသည်။
၄။ သေနတ်အမျိုးအစား SiC ချောင်းများ-သေနတ်ပုံသဏ္ဍာန်ပရိုဖိုင်နှင့် သတ္တုအစိတ်အပိုင်းများကို တစ်စိတ်တစ်ပိုင်းအပူပေးခြင်းနှင့် မီးဖိုငယ်များတွင် အစက်ချအပူပေးခြင်းကဲ့သို့သော ဒေသတွင်းအာရုံစူးစိုက်ထားသော အပူပေးမှုအတွက် တိုးချဲ့ထားသော အပူအပိုင်းဖြင့် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။ အများဆုံးလည်ပတ်မှုအပူချိန် 1600°C ဖြင့် အပူဆုံးရှုံးမှုကို အနည်းဆုံးဖြစ်စေသည်။
၅။ တံခါးအမျိုးအစား SiC ဒြပ်စင်များတံခါးဘောင်ဖွဲ့စည်းပုံဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားပြီး ကျယ်ပြန့်ပြီး ညီညာသော အပူပေးဇုန်များကို ပေးစွမ်းသည်။ အံဆွဲမီးဖိုများနှင့် တွင်းမီးဖိုများအတွက် အလွန်သင့်လျော်ပြီး ရှုပ်ထွေးသော ပစ္စည်းကိရိယာများမပါဘဲ ရိုးရှင်းစွာ တပ်ဆင်နိုင်ပြီး အီလက်ထရွန်းနစ် အစိတ်အပိုင်းများကို အသုတ်လိုက် sintering လုပ်ရာတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့် အသုံးပြုကြသည်။
၆။ ညာဘက်ထောင့် SiC ချောင်းများ-ကျဉ်းကျပ်သောနေရာများနှင့် သေးငယ်သောစမ်းသပ်မီးဖိုများတွင် ပရိုဖိုင်လုပ်ထားသောအခန်းများနှင့် ထောင့်ဇုန်များကဲ့သို့သော ထောင့်ချွန်တပ်ဆင်မှုအပြင်အဆင်များအတွက် 90° ကွေးညွှတ်မှုဖြင့်တည်ဆောက်ထားသည်။ ပေါင်းစပ် sintering သည် သတ်မှတ်ထားသောအချင်း 10–40 မီလီမီတာဖြင့် ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံတည်ငြိမ်မှုကိုသေချာစေသည်။
၇။ ကြမ်းတမ်းသော SiC ချောင်းများ-ခံနိုင်ရည်နည်းပါးပြီး အပူပျံ့နှံ့မှုတိုးတက်ကောင်းမွန်သည့် ကြီးမားသော အအေးအစွန်းများ တပ်ဆင်ထားပြီး လျှပ်စစ်တာမီနယ်များကို အပူလွန်ကဲမှုမှ ကာကွယ်ပေးသည်။ ကြွေလိပ်မီးဖိုများနှင့် ဖန်အပူပေးမီးဖိုများ အပါအဝင် အပူချိန်မြင့်မားသော မီးဖိုများအတွက် အသင့်တော်ဆုံးဖြစ်ပြီး စံအမျိုးအစားများထက် ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်း 20% ကျော် ပိုရှည်သည်။
၈။ တစ်ပြေးညီအချင်း SiC ချောင်းများ-အရှည်တစ်လျှောက် ဖြတ်ပိုင်းအချင်းတူညီသောကြောင့် တည်ငြိမ်သော အပြည့်အဝအပူပေးမှုကို ပေးစွမ်းသည်။ ဓာတ်ခွဲခန်းအပူပေးခြင်းနှင့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းပေါင်းစပ်မီးဖိုများ အပါအဝင် တိကျသောအသုံးချမှုများအတွက် နှစ်သက်သည်။ မြင့်မားသောတသမတ်တည်းဖြစ်စေရန်အတွက် အချင်းသည်းခံမှုကို ±0.2 မီလီမီတာတွင် ထိန်းချုပ်ထားသည်။